Effect Of Annealing Temperature On Cerium Oxide Thin Films Grown By DC Sputtering Method
The cerium thin films were deposited on n-type Si (100) substrate by direct current (DC) sputtering followed by post-annealing at different temperature (400ᵒC and 600ᵒC, 800ᵒC, 1000ᵒC) in an oxygen ambient. In this study, the effect of annealing temperature on the crystallized CeO2 thin films was c...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , |
---|---|
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/49082/1/ABSTRACT%20BOOK%20MNRG%202020.pdf%20cut%2069.pdf http://eprints.usm.my/49082/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|