Antireflective GaN nanoridge texturing by metal-assisted chemical etching via a thermally dewetted Pt catalyst network for highly responsive ultraviolet photodiodes
Antireflective (AR) surface texturing is a feasible way to boost the light absorption of photosensitive materials and devices. As a plasma-free etching method, metal-assisted chemical etching (MacEtch) has been employed for fabricating GaN AR surface texturing. However, the poor etching efficiency o...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liao, Yikai, Kim, You Jin, Lai, Junyu, Seo, Jung-Hun, Kim, Munho |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/165824 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Distinct UV–visible responsivity enhancement of GaAs photodetectors via monolithic integration of antireflective nanopillar structure and UV absorbing IGZO layer
بواسطة: Liao, Yikai, وآخرون
منشور في: (2022) -
p-GaN/n-IGZO self-powered ultraviolet photodetector with ultralow dark current and high sensitivity
بواسطة: Liao, Yikai, وآخرون
منشور في: (2024) -
Optimised antireflection coatings using silicon nitride on textured silicon surfaces based on measurements and multidimensional modelling
بواسطة: Duttagupta, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Large scale antireflective glass texturing using grid contacts in anodization methods
بواسطة: Son, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Antireflection spatiotemporal metamaterials
بواسطة: Yu, Youxiu, وآخرون
منشور في: (2023)