Efficient optical modulation in ring structure based on Silicon-ITO heterojunction with low voltage and high extinction ratio

We numerically propose a low voltage, high extinction ratio optical modulator with a tunable group delay in a resonance enhanced ring resonator based on Silicon (Si) - Indium Tin Oxide (ITO) heterojunction. This is accomplished by incorporating a thin ITO layer into a Si-ring resonator. By electrica...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Rajput, Swati, Kaushik, Vishal, Singh, Lalit, Sulabh, Pandey, Suresh Kumar, Babu, Prem, Kumar, Mukesh
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2023
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/172035
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English

مواد مشابهة