In-plane charged antiphase boundary and 180° domain wall in a ferroelectric film
The deterministic creation and modification of domain walls in ferroelectric films have attracted broad interest due to their unprecedented potential as the active element in non-volatile memory, logic computation and energy-harvesting technologies. However, the correlation between charged and antip...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2024
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/173776 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|