In-plane charged antiphase boundary and 180° domain wall in a ferroelectric film

The deterministic creation and modification of domain walls in ferroelectric films have attracted broad interest due to their unprecedented potential as the active element in non-volatile memory, logic computation and energy-harvesting technologies. However, the correlation between charged and antip...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Cai, Xiangbin, Chen, Chao, Xie, Lin, Wang, Changan, Gui, Zixin, Gao, Yuan, Kentsch, Ulrich, Zhou, Guofu, Gao, Xingsen, Chen, Yu, Zhou, Shengqiang, Gao, Weibo, Liu, Jun-Ming, Zhu, Ye, Chen, Deyang
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2024
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/173776
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!