أرسل هذا في رسالة قصيرة: Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure

  _  _     ______   __   __    _____     ____    
 | \| ||  /_   _//  \ \\/ //  |  ___||  |  _ \\  
 |  ' ||   -| ||-    \   //   | ||__    | |_| || 
 | .  ||   _| ||_    / . \\   | ||__    | .  //  
 |_|\_||  /_____//  /_//\_\\  |_____||  |_|\_\\  
 `-` -`   `-----`   `-`  --`  `-----`   `-` --`