Stoichiometric and structural alterations in GaN thin films during annealling

• المؤلفون الرئيسيون: Rana, M.A., Osipowicz, T., Choi, H.W., Breese, M.B.H., Watt, F., Chua, S.J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57521
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1007/s00339-003-2102-z