Fermi-level pinning and charge neutrality level in nitrogen-doped Ge 2 Sb2 Te5: Characterization and application in phase change memory devices

Fermi-level pinning and charge neutrality level in nitrogen-doped Ge 2 Sb2 Te5: Characterization and application in phase change memory devices

10.1063/1.3475721

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Fang, L.W.-W., Zhang, Z., Zhao, R., Pan, J., Li, M., Shi, L., Chong, T.-C., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82353
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة