發送短信 : Effects of microtrenching from polysilicon gate patterning on 0.13μm MOSFET device performance

__    __    ______  __    __     ___     ______   
\ \\ / //  /_   _// \ \\ / //   / _ \\  |      \\ 
 \ \/ //    -| ||-   \ \/ //   / //\ \\ |  --  // 
  \  //     _| ||_    \  //   |  ___  |||  --  \\ 
   \//     /_____//    \//    |_||  |_|||______// 
    `      `-----`      `     `-`   `-` `------`