Tuning the interfacial hole injection barrier between p-type organic materials and Co using a MoO 3 buffer layer
10.1063/1.4740455
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Wang, Y.-Z., Cao, L., Qi, D.-C., Chen, W., Wee, A.T.S., Gao, X.-Y. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95360 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Tuning the electron injection barrier between Co and C60 using Alq3 buffer layer
بواسطة: Wang, Y.-Z., وآخرون
منشور في: (2014) -
Tuning the hole injection barrier at the organic/metal interface with self-assembled functionalized aromatic thiols
بواسطة: Chen, W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Modification of PTCDA/Co interfacial electronic structures using Alq 3 buffer layer
بواسطة: Cao, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate)/MoO 3 composite layer for efficient and stable hole injection in organic semiconductors
بواسطة: Zhao, Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Surface transfer hole doping of epitaxial graphene using MoO3 thin film
بواسطة: Chen, Z., وآخرون
منشور في: (2014)