#TITLE_ALTERNATIVE#

• Main Author: ADI NUGRAHA (NIM 10205017), TAUFIK
• Format: Final Project
• Language: Indonesia
• Online Access: https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/11494
• Institution: Institut Teknologi Bandung

Simulasi adsorpsi hidrogen dan pengaruh ketidakmurnian terhadap struktur pita elektronik pada graphene telah dilakukan menggunakan metode density functional theory (DFT). Simulasi adsorpsi hidrogen pada graphene bisa memberikan gambaran kepada kita apakah graphene cocok digunakan sebagai media penyimpanan hidrogen atau tidak, karena dewasa ini cukup gencar dilakukan penelitian yang berkaitan dengan mekanisme penyimpanan hidrogen untuk diaplikasikan pada fuel cell di kendaraan. Hasil yang diperoleh menunjukkan bahwa graphene punya potensi ke arah itu, namun sayangnya belum bisa diaplikasikan karena permasalahan temperatur adsorpsi. Hasil perhitungan menunjukkan adanya interaksi yang lemah antara graphene dan molekul hidrogen H2 dengan energi ikat sebesar kurang lebih 18 eV. Energi ikat terkuat diperoleh ketika H2 ditempatkan tepat di atas atom karbon dengan orientasi yang tegak lurus terhadap bidang graphene. Diprediksi bahwa temperatur desorpsi yang digunakan untuk melepas H2 dari permukaan graphene bernilai sangat kecil yang membuat sistem ini belum bisa digunakan pada praktiknya. Beberapa modifikasi pada struktur graphene diprediksi bisa memperbaiki permasalahan ini, hal ini akan dilakukan pada studi berikutnya. Pada kasus yang lain, yaitu permasalahan struktur pita elektronik, graphene murni menunjukkan tidak adanya celah pita energi, begitu pun setelah penambahan H2. Celah pita energi mulai terbuka ketika atom N dan H ditambahkan ke permukaan graphene. Celah pita indirect muncul sebesar 2.67 eV pada sistem graphene-H dan 4.68 eV pada graphene-N. Hasil ini menunjukkan bahwa graphene memiliki potensi yang sangat besar untuk diterapkan pada divais elektronik karena celah pitanya bisa dikontrol dengan memilih jenis ketidakmurnian yang akan diberikan.