Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya

ZnO memiliki prospek yang baik sebagai semikonduktor untuk aplikasi elektroluminesensi. Elektroluminesensi dapat dihasilkan oleh semikonduktor yang membentuk susunan dioda yaitu tipe sambungan p-n atau tipe sambungan p-i-n. Fabrikasi dioda ZnO menggunakan metoda deposisi larutan dengan Zn(NO3)2 100...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Nur Patriya Sussardi, Alif
Format: Final Project
Language:Indonesia
Subjects:
Online Access:https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/32194
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Institution: Institut Teknologi Bandung
Language: Indonesia
id id-itb.:32194
spelling id-itb.:321942018-12-05T09:23:19ZFabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya Nur Patriya Sussardi, Alif Kimia Indonesia Final Project semikonduktor, film tipis ZnO, deposisi larutan, p-n homojunction, p-i-n homojunction INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/32194 ZnO memiliki prospek yang baik sebagai semikonduktor untuk aplikasi elektroluminesensi. Elektroluminesensi dapat dihasilkan oleh semikonduktor yang membentuk susunan dioda yaitu tipe sambungan p-n atau tipe sambungan p-i-n. Fabrikasi dioda ZnO menggunakan metoda deposisi larutan dengan Zn(NO3)2 100 mM sebagai sumber Zn2+ dan heksametilentetramin 100 mM sebagai basa, ditumbuhkan pada kaca ITO (Indium Tin Oxide) dengan adanya medan listrik dari luar sebesar 2400 V/cm . Dopan yang digunakan pada n-ZnO adalah Al dari AlCl3 sebanyak 5% mol, sedangkan pada p-ZnO adalah Li dari LiCl sebanyak 5% mol. Karakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) yang menunjukkan pertumbuhan kristal yang dominan pada sumbu c. Karakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM) juga menunjukkan pertumbuhan kristal yang dominan pada sumbu c sedangkan pada gambar penampang menunjukkan adanya 3 lapisan pada sambungan tipe p-n dan 4 lapisan pada sambungan tipe p-i-n. Pada pengukuran arus terhadap tegangan didapatkan kurva arus terhadap tegangan yang ekstrapolasinya menunjukkan nilai lebar celah pita. Pada sambungan p-n didapatkan celah pita sebesar 1,27 eV dan pada sambungan p-i-n didapatkan celah pita sebesar 1,97 eV yang telah menunjukkan kurva arus terhadap tegangan yang khas dari sebuah dioda, namun masih jauh dari lebar celah pita kristal tunggal ZnO sebesar 3,3 eV dikarenakan sambungan yang kurang baik. Untuk memperbaiki sambungan dilakukan pemanasan pada sambungan p-n dengan variasi suhu dan waktu yaitu pada 200 °C selama 6 jam, 300 °C selama 2 jam, 300 °C selama 6 jam, 400 °C selama 2 jam dan 400 °C selama 6 jam, dan setelah pengukuran didapatkan celah pita sebesar 0,49 eV; 1,46 eV; 0,70 eV; 0,97 eV dan 0,74 eV secara berurutan. text
institution Institut Teknologi Bandung
building Institut Teknologi Bandung Library
continent Asia
country Indonesia
Indonesia
content_provider Institut Teknologi Bandung
collection Digital ITB
language Indonesia
topic Kimia
spellingShingle Kimia
Nur Patriya Sussardi, Alif
Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
description ZnO memiliki prospek yang baik sebagai semikonduktor untuk aplikasi elektroluminesensi. Elektroluminesensi dapat dihasilkan oleh semikonduktor yang membentuk susunan dioda yaitu tipe sambungan p-n atau tipe sambungan p-i-n. Fabrikasi dioda ZnO menggunakan metoda deposisi larutan dengan Zn(NO3)2 100 mM sebagai sumber Zn2+ dan heksametilentetramin 100 mM sebagai basa, ditumbuhkan pada kaca ITO (Indium Tin Oxide) dengan adanya medan listrik dari luar sebesar 2400 V/cm . Dopan yang digunakan pada n-ZnO adalah Al dari AlCl3 sebanyak 5% mol, sedangkan pada p-ZnO adalah Li dari LiCl sebanyak 5% mol. Karakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) yang menunjukkan pertumbuhan kristal yang dominan pada sumbu c. Karakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM) juga menunjukkan pertumbuhan kristal yang dominan pada sumbu c sedangkan pada gambar penampang menunjukkan adanya 3 lapisan pada sambungan tipe p-n dan 4 lapisan pada sambungan tipe p-i-n. Pada pengukuran arus terhadap tegangan didapatkan kurva arus terhadap tegangan yang ekstrapolasinya menunjukkan nilai lebar celah pita. Pada sambungan p-n didapatkan celah pita sebesar 1,27 eV dan pada sambungan p-i-n didapatkan celah pita sebesar 1,97 eV yang telah menunjukkan kurva arus terhadap tegangan yang khas dari sebuah dioda, namun masih jauh dari lebar celah pita kristal tunggal ZnO sebesar 3,3 eV dikarenakan sambungan yang kurang baik. Untuk memperbaiki sambungan dilakukan pemanasan pada sambungan p-n dengan variasi suhu dan waktu yaitu pada 200 °C selama 6 jam, 300 °C selama 2 jam, 300 °C selama 6 jam, 400 °C selama 2 jam dan 400 °C selama 6 jam, dan setelah pengukuran didapatkan celah pita sebesar 0,49 eV; 1,46 eV; 0,70 eV; 0,97 eV dan 0,74 eV secara berurutan.
format Final Project
author Nur Patriya Sussardi, Alif
author_facet Nur Patriya Sussardi, Alif
author_sort Nur Patriya Sussardi, Alif
title Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
title_short Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
title_full Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
title_fullStr Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
title_full_unstemmed Fabrikasi Sambungan p-n dan p-i-n Semikonduktor Dioda ZnO dengan Metoda Deposisi Larutan dan Karakterisasinya
title_sort fabrikasi sambungan p-n dan p-i-n semikonduktor dioda zno dengan metoda deposisi larutan dan karakterisasinya
url https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/32194
_version_ 1821996312552275968