STUDI SIMULASI DAMPAK PENGENDAPAN ASPHALTENE TERHADAP PROYEK CCUS: ANALISIS PADA LAJU INJEKSI CO2 DAN EFEK EKSPONEN FAKTOR RESISTANSI

• Main Author: Tri Wibitama, Iqbal
• Format: Final Project
• Language: Indonesia
• Subjects: Pertambangan dan operasi berkaitan
• Online Access: https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/73443
• Institution: Institut Teknologi Bandung

Peningkatan emisi CO2 global telah mendorong pengadopsian langkah-langkah efektif untuk mengurangi CO2 dampak buruk terhadap kesehatan manusia dan perubahan iklim. Capture Utilization and Storage (CCUS) muncul sebagai solusi yang menjanjikan, melibatkan pemisahan, pengolahan, dan penyimpanan atau pemanfaatan CO2. Namun, injeksi CO2 ke dalam reservoir dapat menyebabkan endapan asphaltene, yang menghadirkan tantangan terhadap sifat-sifat reservoir dan berpotensi menyebabkan kerusakan pada formasi. Memahami stabilitas asphaltene dan dampaknya pada property reservoir sangat penting untuk proyek-proyek CCUS yang sukses. Dalam penelitian ini, diselidiki pengaruh eksponen faktor resistansi dan laju injeksi gas terhadap endapan asphaltene dan sifat-sifat reservoir. Dilakukan tinjauan literatur komprehensif untuk mengidentifikasi studi, teori, dan model yang relevan terkait endapan aspahltene dan implikasinya dalam proyek-proyek CCUS. Selain itu, dilakukan simulasi reservoir menggunakan perangkat lunak CMG, dengan memasukkan data geologi, batuan reservoir, dan sifat fluida. Temuan penelitian menunjukkan bahwa eksponen faktor resistansi mempengaruhi endapan asphaltene dan permeabilitas reservoir. Selain itu, laju injeksi gas secara langsung memengaruhi sifat-sifat reservoar, termasuk faktor perolehan minyak dan potensi penyimpanan karbon. Memahami pengaruh eksponen faktor resistansi dan laju injeksi gas terhadap endapan asphaltene dan sifat-sifat reservoir memungkinkan mitigasi kerusakan formasi yang efektif dan peningkatan kinerja penyimpanan CO2. Temuan ini berkontribusi pada tujuan pengurangan emisi CO2 dan memastikan keberlanjutan dalam konteks proyek-proyek CCUS.