PENGUKURAN WAKTU HIDUP (LIFETIME) PEMBAWA MUATAN DALAM KRlSTAl TUNGGAL SILIKON DENGAN METODE PELURUHAN FOTOKONDUKTIFITAS
Telah dl1akukan pengukuran waktu hldup ( LIFETII1E) pembawa muatan dalam krlstal tunggal s111kon dengan Metode Peluruhan Fotokonduktlvltas. Krlstal yang dlukur adalah tlpe-n dan mempunyai nilai reslstlvitas 19,38 O-cm untuk bahan I dan 36,47 o-cm untuk bahan II. Pada pengukuran dengan metode Inl, kr...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Theses and Dissertations NonPeerReviewed |
| Language: | Indonesian |
| Published: |
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://repository.unair.ac.id/54945/1/kk%20mpf%20532.96%20wid%20p.pdf http://repository.unair.ac.id/54945/ http://lib.unair.ac.id |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Universitas Airlangga |
| Language: | Indonesian |
| Summary: | Telah dl1akukan pengukuran waktu hldup ( LIFETII1E) pembawa muatan dalam krlstal tunggal s111kon dengan Metode Peluruhan Fotokonduktlvltas. Krlstal yang dlukur adalah tlpe-n dan mempunyai nilai reslstlvitas 19,38 O-cm untuk bahan I dan 36,47 o-cm untuk bahan II. Pada pengukuran dengan metode Inl, krlstal dlbagi dalam tlga macam menurut bentuk dan ukuran yang dlsesualkan dengan ASTH (Amerlcan Standard Test Measurements), yaitu tlpe A (panjang =10 mm. luas penampang 11ntang = 2,5 x 2,5 mm 2 ) tlpe B (panjang = 25 mm, luas penampang lintang = 5 x 5 mm 2) dan tlpe C (panjang
2
= 25 mm, luas penampang 11ntang = 10 x 10 IDID). Dengan metode Peluruhan Fotokonduktlvltas, dapat dlketahul nl1al waktu hldup pembawa muatan kristal tunggal sillkon sesual dengan bentuk dan ukuran yang sudah ditetapkan diatas, yaltu 222 -248 ~s untuk tipe A, 950 -1139 ~s untuk tipe B, dan 3180 -3460 ~s untuk tipe C. Sehingga metode Peluruhan Fotokonduktlvitas ini dapat dipergunakan sebagai salah satu metode untuk mengetahui karakteristlk krlstal, agar dapat dl1akukan optimasi dalam penumbuhan krlstal tunggal slllkon dl Puslltbang LIPI Serpong Tangerang Jawa Barat. |
|---|