Pengaruh keteraturan lokal pada densitas
ABSTRAK Kerapatan keadaan vibrasi lokal bahan a-Si, a-C, a-Si:H, dan a-C:H telah dihitung dengan rnenggunakan metode kekisi Bethe gugus dan model potensial Born. Potensial Born mengikutsertakan dua tetapan kakas tetangga terdekat, yaitu tetapan kakas meruji dan tetapan kakas sudut. Hasil perhitungan...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Article NonPeerReviewed |
| 出版: |
[Yogyakarta] : Universitas Gadjah Mada
1997
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://repository.ugm.ac.id/26265/ http://i-lib.ugm.ac.id/jurnal/download.php?dataId=9285 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| 總結: | ABSTRAK
Kerapatan keadaan vibrasi lokal bahan a-Si, a-C, a-Si:H, dan a-C:H telah dihitung dengan rnenggunakan metode kekisi Bethe gugus dan model potensial Born. Potensial Born mengikutsertakan dua tetapan kakas tetangga terdekat, yaitu tetapan kakas meruji dan tetapan kakas sudut. Hasil perhitungan memperlihatkan puncak-puncak yang terdapat pada spektrum Raman bahan silikon amorf (a-Si) di pita lintang optik (480 crn-1) dan karbon amorf (a-C) di pita lintang optik (1080 cm 1). Hasil ini juga memperlihatkan bahwa kerapatan keadaan lokal dipengaruhi oleh keberadaan atom H di gugus.
Data kunci: kekisi Bethe, lakur, potensial Born, modus vibrasi |
|---|