Ảnh hưởng của sự lượng tử hóa do giảm kích thước lên một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều: Luận án TS. Khoa học vật chất: 624401

• Main Author: Đỗ, Tuấn Long
• Other Authors: Nguyễn, Quang Báu
• Format: Theses and Dissertations
• Language: Vietnamese
• Published: 2019
• Subjects: Vật lí toán học; 530.1
• Online Access: http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/66237
• Institution: Vietnam National University, Hanoi

Luận án đã dẫn ra phương trình động lượng tử cho hàm phân bố electron trong hố lượng tử, siêu mạng hợp phần, siêu mạng pha tạp, dây lượng tử hình trụ, dây lượng tử hình chữ nhật khi có mặt bức xạ laser, điện trường không đổi, từ trường mạnh hoặc sóng điện từ phân cực thẳng và có kể đến sự giam cầm của phonon. Tìm được biểu thức giải tích của ten-xơ độ dẫn Hall, hệ số Hall, từ trở trong các hệ bán dẫn hai chiều dưới ảnh hưởng của phonon quang giam cầm. Thu lại được các kết quả giới hạn cho trường hợp phonon quang không giam cầm. Tính số các kết quả giải tích cho hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs, siêu mạng hợp phần GaAs/AlxGa1-xAs và siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be. Phonon quang giam cầm làm tăng độ lớn và làm xuất hiện thêm các đỉnh cộng hưởng của ten-xơ độ dẫn Hall, làm giảm độ lớn của hệ số Hall và từ trở. Khi vật liệu càng mỏng thì electron và phonon quang bị giam cầm càng mạnh và hiệu ứng thu được càng rõ nét. Thêm vào đó, sự tăng gần tuyến tính của từ trở theo nhiệt độ cho thấy sự phù hợp của lý thuyết với kết quả thực nghiệm. Khi kể đến sự giam cầm của phonon quang thì đồ thị càng phù hợp với kết quả thực nghiệm hơn...