Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện

Tiến hành nghiên cứu và chế tạo màng mỏng PZT sử dụng phương pháp dung dịch, vì đây là một phương pháp đơn giản, có chi phí đầu tư thấp, tiêu hao ít vật liệu và năng lượng, rất phù hợp với điều kiện nghiên cứu tại Việt Nam. Do đó, phần việc chính của luận văn là tiến hành khảo sát ảnh hưởng của điề...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Nguyễn, Huy Tiệp
Format: Theses and Dissertations
Language:other
Published: Đại học Quốc gia Hà Nội 2016
Subjects:
Online Access:http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/8224
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Institution: Vietnam National University, Hanoi
Language: other
id oai:112.137.131.14:VNU_123-8224
record_format dspace
spelling oai:112.137.131.14:VNU_123-82242016-04-13T20:01:15Z Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện Nguyễn, Huy Tiệp Vật liệu Nano Màng mỏng PZT Cấu trúc Nano Bộ nhớ sắt điện Phương pháp dung dịch Tiến hành nghiên cứu và chế tạo màng mỏng PZT sử dụng phương pháp dung dịch, vì đây là một phương pháp đơn giản, có chi phí đầu tư thấp, tiêu hao ít vật liệu và năng lượng, rất phù hợp với điều kiện nghiên cứu tại Việt Nam. Do đó, phần việc chính của luận văn là tiến hành khảo sát ảnh hưởng của điều kiện ủ lên cấu trúc tinh thể, đặc trưng sắt điện cùng như dòng rò của của màng chế tạo được. Màng mỏng PZT đã được chế tạo trên đế Pt/TiO2/SiO2/Si vả được ủ theo hai quy trình: (i) nhiệt độ cao sử dụng lò ủ nhiệt chậm và (ii) ủ nhiệt thấp sử dụng lò ủ nhiệt nhanh (RTA: Rapid Thermal Annealing). Các kết quả thu được cho thấy màng PZT ủ nhiệt độ cao có pha kết tinh perovskite khi nhiệt độ ủ lớn hơn 550o C. Màng mỏng này cho cấu trúc tinh thể, đặc trưng điện trễ và dòng rò tốt nhất khi nhiệt độ ủ đạt 600oC. Trong khi đó, khi sử dụng quy trình ủ nhiệt nhanh (RTA) thì nhiệt độ kết tinh được giảm xuống chỉ còn 450oC. Do yêu cầu cần ổn định khi chế tạo bộ nhớ sắt điện, màng mỏng PZT ủ tại 600oC đã được sử dụng để chế tạo bộ nhớ sắt điện thử nghiệm với kênh dẫn là màng mỏng ô-xít bán dẫn ITO (In2O3 pha tạp thiếc). Hoạt động của bộ nhớ thử nghiệm chỉ ra rằng, tỉ số mở/đóng điển hình là oảng 105, cửa số nhớ rộng khoảng 2 V. Đặc trưng truyền qua cho thấy khả năng bão hòa và dòng mở lớn hơn so với thiết bị truyền thổng. Đây là một trong những nghiên cứu đầu tiên tại Việt Nam thành công trong việc chế tạo màng mỏng PZT có chất lượng cao bằng phương pháp dung dịch, và đặc biệt là thành công trong việc chế tạo và khảo sát bộ nhớ sắt điện. Kết quả thu được là cơ sở cho các nghiên cứu tiếp theo nhằm tối ưu hóa quy trình chế tạo, đồng thời mở ra khả năng ứng dụng thực tế cho loại vật liệu đầy tiềm năng này.. 2016-04-13T04:59:56Z 2016-04-13T04:59:56Z 2013 Thesis 8 tr. http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/8224 other application/pdf Đại học Quốc gia Hà Nội
institution Vietnam National University, Hanoi
building VNU Library & Information Center
country Vietnam
collection VNU Digital Repository
language other
topic Vật liệu Nano
Màng mỏng PZT
Cấu trúc Nano
Bộ nhớ sắt điện
Phương pháp dung dịch
spellingShingle Vật liệu Nano
Màng mỏng PZT
Cấu trúc Nano
Bộ nhớ sắt điện
Phương pháp dung dịch
Nguyễn, Huy Tiệp
Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
description Tiến hành nghiên cứu và chế tạo màng mỏng PZT sử dụng phương pháp dung dịch, vì đây là một phương pháp đơn giản, có chi phí đầu tư thấp, tiêu hao ít vật liệu và năng lượng, rất phù hợp với điều kiện nghiên cứu tại Việt Nam. Do đó, phần việc chính của luận văn là tiến hành khảo sát ảnh hưởng của điều kiện ủ lên cấu trúc tinh thể, đặc trưng sắt điện cùng như dòng rò của của màng chế tạo được. Màng mỏng PZT đã được chế tạo trên đế Pt/TiO2/SiO2/Si vả được ủ theo hai quy trình: (i) nhiệt độ cao sử dụng lò ủ nhiệt chậm và (ii) ủ nhiệt thấp sử dụng lò ủ nhiệt nhanh (RTA: Rapid Thermal Annealing). Các kết quả thu được cho thấy màng PZT ủ nhiệt độ cao có pha kết tinh perovskite khi nhiệt độ ủ lớn hơn 550o C. Màng mỏng này cho cấu trúc tinh thể, đặc trưng điện trễ và dòng rò tốt nhất khi nhiệt độ ủ đạt 600oC. Trong khi đó, khi sử dụng quy trình ủ nhiệt nhanh (RTA) thì nhiệt độ kết tinh được giảm xuống chỉ còn 450oC. Do yêu cầu cần ổn định khi chế tạo bộ nhớ sắt điện, màng mỏng PZT ủ tại 600oC đã được sử dụng để chế tạo bộ nhớ sắt điện thử nghiệm với kênh dẫn là màng mỏng ô-xít bán dẫn ITO (In2O3 pha tạp thiếc). Hoạt động của bộ nhớ thử nghiệm chỉ ra rằng, tỉ số mở/đóng điển hình là oảng 105, cửa số nhớ rộng khoảng 2 V. Đặc trưng truyền qua cho thấy khả năng bão hòa và dòng mở lớn hơn so với thiết bị truyền thổng. Đây là một trong những nghiên cứu đầu tiên tại Việt Nam thành công trong việc chế tạo màng mỏng PZT có chất lượng cao bằng phương pháp dung dịch, và đặc biệt là thành công trong việc chế tạo và khảo sát bộ nhớ sắt điện. Kết quả thu được là cơ sở cho các nghiên cứu tiếp theo nhằm tối ưu hóa quy trình chế tạo, đồng thời mở ra khả năng ứng dụng thực tế cho loại vật liệu đầy tiềm năng này..
format Theses and Dissertations
author Nguyễn, Huy Tiệp
author_facet Nguyễn, Huy Tiệp
author_sort Nguyễn, Huy Tiệp
title Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
title_short Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
title_full Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
title_fullStr Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
title_full_unstemmed Nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
title_sort nghiên cứu tính chất của màng mỏng pzt cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
publisher Đại học Quốc gia Hà Nội
publishDate 2016
url http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/8224
_version_ 1680964432219340800