Synthesis of ternary oxide Zn2GeO4 nanowire networks and their deep ultraviolet detection properties

Ternary oxide Zn2GeO4 with a wide bandgap of 4.84 eV, as a candidate for fourth generation semiconductors, has attracted a great deal of attention for deep ultraviolet (DUV) photodetector applications, because it is expected to be blind to the UV-A/B band (290–400 nm) and only responsive to the UV-C...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Han, Xu, Feng, Shuanglong, Zhao, Yiming, Li, Lei, Zhan, Zhaoyao, Tao, Zhiyong, Fan, Yaxian, Lu, Wenqiang, Zuo, Wenbin, Fu, Dejun
مؤلفون آخرون: School of Mechanical and Aerospace Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/137418
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!