Electronically tunable MOSFET-based resistor used in a variable gain amplifier or filter
We present a new design of an electronically tunable linear MOS resistor circuit that operates in the subthreshold saturation region, supported with mathematical derivations and simulation results using CSM0.13μm technology. For a given potential difference across the MOS resistor, its gate voltage...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/152167 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |