Enhanced GeSn microdisk lasers directly released on Si
GeSn alloys are promising candidates for complementary metal-oxide- semiconductor-compatible, tunable lasers. Relaxation of residual compressive strain in epitaxial GeSn has recently shown promise in improving the lasing performance. However, the suspended device configuration that is thus far intr...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/156381 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|