硅基底上二维硒氧化铋的化学气相沉积法 合成及其光电探测应用 = Synthesis of two-dimensional Bi2O2Se on silicon substrate by chemical vapor deposition and its photoelectric detection application

• Main Authors: Fu, Qundong, Wang, Xiaowei, Zhou, Xiuxian, Zhu, Chao, Liu, Zheng
• Other Authors: School of Materials Science and Engineering
• Format: Article
• Language: English
• Published: 2023
• Subjects: Engineering::Materials; 二维材料 Two-Dimensional Materials; 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition
• Online Access: https://hdl.handle.net/10356/167019
• Institution: Nanyang Technological University

半导体加工工艺微缩过程中, 硅基材料的短沟道效应带来的低能效促使研究人员寻找新型半导体替代材料. 二维半导体因其原子级别的厚度以及范德瓦耳斯表面而倍受关注, 二维硒氧化铋就是其中迁移率、稳定性以及成本各方面较为均衡的一种. 然而, 其制备受到基底很严格的限制, 导致器件加工难度较大. 本文利用化学气相沉积法直接在硅片基底上合成出规格为25 µm×51.0 nm(厚度)的二维硒氧化铋, 并通过拉曼光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱对其进行表征. 同时, 通过场效应晶体管输运的测试得出其迁移率为80.0 cm2/(V·s)以及光电探测得出其具有2.45×104 A/W的光响应度和6×1...