Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
In this thesis, molecular beam epitaxy (MBE)growth, the optical and luminescence properties and crystalline quality of Ini.x.yGaxAlyAs layers on InP (100)substrates are studied.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2009
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/19771 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|