Modeling of electron transport in phrosphorous doped single crystal CVD diamond
Diamond as wide band gap material with extreme electrical and mechanical properties has huge potential for high voltage, high power, high speed, and high temperature power devices. Various p-type diamond devices have been achieved using Boron doping with 0.37 eV ionization energy and hole transport...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/53079 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|