Transition metal oxide based resistive RAM for high density non-vilatile memory
Nonvolatile memory technology (NVM) is one of the key driving factors for information storage development. With memory technology aggressively migrating into the sub-10 nm nano-scale regime, the traditional nonvolatile FLASH memory is facing challenging issues such as lithography, coupling ratio, cr...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/54826 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|