InGaN/GaN light-emitting diodes : from modeling to their hybrid applications with novel nanomaterials
In last two decades, InGaN/GaN light-emitting diodes have been one of the main focus of research thanks to their low power consumption, high efficiency, long lifetime, high color purity and color quality, narrow luminescence, possibility to tune the emission wavelength from near ultraviolet to gr...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/72315 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |