Near-IR and mid-IR (1.55 μm – 2 μm) silicon photonics devices on silicon-on-insulator (SOI) platform
In the last several decades, there has been considerable research interest in silicon photonics based on silicon-on-insulator (SOI) platform. Many useful applications have been developed in the near-infrared (NIR) data- and tele- communication band (1.3-1.6 µm), such as sensors, switches, modulators...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/74993 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |