Ag3XO4 (X = P, As, V)电子结构及光催化性质的第一性原理计算 = First-principles study on the electronic and photocatalytic properties of Ag3XO4 (X = P, As, V)

• Main Authors: 李蛟 Li Jiao, 陈忠 Chen Zhong
• Other Authors: School of Materials Science & Engineering
• Format: Article
• Language: English
• Published: 2018
• Subjects: 第一性原理; Ag3XO4 (X = P, As, V); DRNTU::Engineering::Materials
• Online Access: https://hdl.handle.net/10356/89098; http://hdl.handle.net/10220/47130; http://www.whxb.pku.edu.cn/EN/10.3866/PKU.WHXB201702085
• Institution: Nanyang Technological University

基于密度泛函理论的第一性原理对Ag3XO4 (X = P, As, V)电子结构及光催化性质进行了对比研究。与Ag3PO4相比，Ag3VO4较好的光催化稳定性主要源于其结构中Ag―O间较强的作用力增加了对Ag+的控制，而 Ag3VO4弱的光催化活性与其导带底中存在 d 轨道成份以及较低的价带边势(2.335 V, vs NHE)有关；对Ag3AsO4而言，其优于Ag3PO4光催化活性的原因基于三个方面：(1) 由高分散Ag s-Ag s杂化轨道构成的导带底能带；(2) 窄的带隙(1.91 eV)；(3) 宽的可见光响应范围以及高的光吸收系数。此外，Ag3XO4 (X = P, As, V)均为...