A novel CMOS low-noise amplifier design for 3.1-to 10.6-GHz ultra-wide-band wireless receivers
An ultra-wideband (UWB) 3.1- to 10.6-GHz low-noise amplifier (LNA) employing a common-gate stage for wideband input matching is presented in this paper. Designed in a commercial 0.18-um 1.8-V standard RFCMOS technology, the proposed UWB LNA achieves fully on-chip circuit implementation, contributing...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ma, Jianguo, Do, Manh Anh, Lu, Zhenghao, Lu, Yang, Yeo, Kiat Seng, Cabuk, Alper |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/91515 http://hdl.handle.net/10220/5958 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design of wideband CMOS low-noise amplifiers for ultra-wideband receivers
بواسطة: Lu, Yang
منشور في: (2011) -
A 3-8 GHz low-noise CMOS amplifier
بواسطة: Meaamar, Ali, وآخرون
منشور في: (2010) -
An energy-aware CMOS receiver front end for low-power 2.4-GHz applications
بواسطة: Do, Aaron V., وآخرون
منشور في: (2011) -
A subthreshold low-noise amplifier optimized for ultra-low-power applications in the ISM band
بواسطة: Do, Aaron V., وآخرون
منشور في: (2009) -
Design of a low power 60GHz OOK receiver in 65nm CMOS technology
بواسطة: Lu, Zhenghao, وآخرون
منشور في: (2013)