Enhancing charge-storage capacity of non-volatile memory devices using template-directed assembly of gold nanoparticles
We demonstrate the controlled fabrication of aggregates of gold nanoparticles as a means of enhancing the charge-storage capacity of metal–insulator–semiconductor (MIS) devices by up to 300% at a low biasing voltage of ±4 V. Aggregates of citrate stabilized gold nanoparticles were obtained by direct...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97479 http://hdl.handle.net/10220/10739 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|