Enhancing charge-storage capacity of non-volatile memory devices using template-directed assembly of gold nanoparticles

We demonstrate the controlled fabrication of aggregates of gold nanoparticles as a means of enhancing the charge-storage capacity of metal–insulator–semiconductor (MIS) devices by up to 300% at a low biasing voltage of ±4 V. Aggregates of citrate stabilized gold nanoparticles were obtained by direct...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Srinivasan, M. P., Gupta, Raju Kumar, Krishnamoorthy, Sivashankar, Kusuma, Damar Yoga, Lee, Pooi See
مؤلفون آخرون: School of Materials Science & Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/97479
http://hdl.handle.net/10220/10739
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!