Growth of tapered SiC nanowires on flexible carbon fabric : toward field emission applications

Tapered silicon carbide (SiC) nanowires were directly grown on the surface of flexible carbon fabric by a chemical vapor deposition process. The products were systemically characterized by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscop...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Wu, Renbing, Zhou, Kun, Huang, Yizhong, Wei, Jun, Su, Fei, Chen, Jianjun, Wang, Liuying
مؤلفون آخرون: School of Materials Science & Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/99111
http://hdl.handle.net/10220/17328
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!