Vacancy-induced room-temperature ferromagnetism in Ga-TiO 2

10.1016/j.scriptamat.2012.02.031

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Bao, N.N., Yi, J.B., Fan, H.M., Qin, X.B., Zhang, P., Wang, B.Y., Ding, J., Li, S.
مؤلفون آخرون:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Diluted magnetic semiconductor Room-temperature ferromagnetism TiO 2 Vacancy
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/114872
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة