Design and Study of an Artificial Spiking Neuron Enabled by Low-Voltage SiOx-based ReRAM

• المؤلفون الرئيسيون: NIU XUHUA, LI YIDA, THEAN VOON YEW, AARON
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: IEEE 2021
• الموضوعات: Spiking Neural Network, Resistive Random Access Memory, Spike-Timing-Dependent Plasticity
• الوصول للمادة أونلاين: https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/192010

10.1109/S3S46989.2019.9320502