Absorption recovery time reduction in InGaN/GaN quantum well saturable absorbers

10.1063/1.2924412

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Lin, F., Xiang, N., Chua, S.J., Irshad, A., Roither, S., Pugzlys, A., Baltuska, A., Chen, P., Chow, S.Y.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50857
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

الوصف
الملخص:	10.1063/1.2924412

مواد مشابهة