Spin tunneling in multilayer spintronic devices
10.1103/PhysRevB.77.085424
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tan, S.G., Jalil, M.B.A., Kumar, S.B., Liang, G.-C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57485 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
High and tunable spin current induced by magnetic-electric fields in a single-mode spintronic device
بواسطة: Bala Kumar, S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Spin dependent tunneling device utilizing the magneto-coulomb effect
بواسطة: Jalil, M.B.A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Multi-channel spintronic transistor design based on magnetoelectric barriers and spin-orbital effects
بواسطة: Fujita, T., وآخرون
منشور في: (2014) -
Theoretical model of spin transfer torque in multilayers
بواسطة: Jalil, M.B.A., وآخرون
منشور في: (2014) -
Spin polarization of tunneling current in barriers with spin-orbit coupling
بواسطة: Fujita, T., وآخرون
منشور في: (2014)