Transistor device for multi-bit non-volatile storage

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, S.G., Jalil, M.B.A., Kumar, V., Liew, T., Teo, K.L., Chong, T.C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Memory; MRAM; Non-volatile; Spin-FET
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57701

10.1016/j.tsf.2005.10.040