Optical spectroscopy study on carrier concentration and mobility in GaN

• المؤلفون الرئيسيون: Li, Z.-F., Lu, W., Ye, H.-J., Yuan, X.-Z., Shen, X.-C., Li, G., Chua, S.J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: α-GaN epitaxy thin film; Carrier contration; IR reflection spectra; LO phonon-plasmon coupling mode; Mobility; Raman spectra
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62554

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica