أرسل هذا في رسالة قصيرة: Achieving conduction band-edge Schottky barrier height for arsenic-segregated nickel aluminide disilicide and implementation in FinFETs with ultra-narrow fin widths

  _  __     ___     __   __    ______            
 | |/ //   / _ \\   \ \\/ //  /_   _//   ____    
 | ' //   / //\ \\   \   //    -| ||-   |    \\  
 | . \\  |  ___  ||  / . \\    _| ||_   | [] ||  
 |_|\_\\ |_||  |_|| /_//\_\\  /_____//  |  __//  
 `-` --` `-`   `-`  `-`  --`  `-----`   |_|`-`   
                                        `-`