Fang, L., Zheng, Z., Pan, J., Zhao, R., Li, M., Shi, L., . . . ENGINEERING, E. &. C. (2014). Dependence of energy band offsets at Ge2Sb2Te 5 / SiO2 interface on nitrogen concentration.
استشهاد بنمط شيكاغوFang, L.W.-W., Z. Zheng, J.-S Pan, R. Zhao, M. Li, L. Shi, T.-C Chong, Y.-C Yeo, و ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING. Dependence of Energy Band Offsets At Ge2Sb2Te 5 / SiO2 Interface On Nitrogen Concentration. 2014.
MLA استشهادFang, L.W.-W., et al. Dependence of Energy Band Offsets At Ge2Sb2Te 5 / SiO2 Interface On Nitrogen Concentration. 2014.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.