أرسل هذا في رسالة قصيرة

رقم:

مقدم:

كابتشا:

 __   __    _____    _    _      ___      _____   
 \ \\/ //  |  ___|| | \  / ||   / _ \\   /  ___|| 
  \   //   | ||__   |  \/  ||  | / \ || | // __   
  / . \\   | ||__   | .  . ||  | \_/ || | \\_\ || 
 /_//\_\\  |_____|| |_|\/|_||   \___//   \____//  
 `-`  --`  `-----`  `-`  `-`    `---`     `---`

يرجى إدخال ما تراه::

أرسل هذا في رسالة قصيرة: Direct tunneling stress-induced leakage current in NMOS devices with ultrathin gate oxides