Direct tunneling stress-induced leakage current in NMOS devices with ultrathin gate oxides

• المؤلفون الرئيسيون: Samanta, P., Man, T.Y., Chan, A.C.K., Zhang, Q., Zhu, C., Chan, M.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83635

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings