أرسل هذا في رسالة قصيرة: Strained germanium-tin (GeSn) N-channel MOSFETs featuring low temperature N +/P junction formation and GeSnO 2 interfacial layer

 _    _      ___     __   __   __   __    ______  
| |  | ||   / _ \\   \ \\/ //  \ \\/ //  /_   _// 
| |/\| ||  | / \ ||   \   //    \ ` //     | ||   
|  /\  ||  | \_/ ||   / . \\     | ||     _| ||   
|_// \_||   \___//   /_//\_\\    |_||    /__//    
`-`   `-`   `---`    `-`  --`    `-`'    `--`