Formation energies and chemical potential diagrams of II-Ge-N<inf>2</inf> semiconductors
© 2016 Taylor & Francis Group, LLC. III-Nitride wide band gap semiconductors are well known for optoelectronic and electronic applications. They however have disadvantages, for example, the high cost of Indium, difficulties of p-type doping and phase separation in their alloys. In this work, t...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | دورية |
| منشور في: |
2017
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84982299785&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/41435 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|