Intarasiri, S., Hallén, A., Lu, J., Jensen, J., Yu, L. D., Bertilsson, K., . . . Possnert, G. (2018). Crystalline quality of 3C-SiC formed by high-fluence C<sup>+</sup>-implanted Si.
استشهاد بنمط شيكاغوIntarasiri, S., A. Hallén, J. Lu, J. Jensen, L. D. Yu, K. Bertilsson, M. Wolborski, S. Singkarat, و G. Possnert. Crystalline Quality of 3C-SiC Formed By High-fluence C<sup>+</sup>-implanted Si. 2018.
MLA استشهادIntarasiri, S., et al. Crystalline Quality of 3C-SiC Formed By High-fluence C<sup>+</sup>-implanted Si. 2018.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.