ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ
วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Theses and Dissertations |
| Language: | Thai |
| Published: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/10276 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Chulalongkorn University |
| Language: | Thai |
| id |
th-cuir.10276 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
th-cuir.102762009-08-18T11:54:39Z ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ Transparent conducting ZnO(AI) thin films deposited by sequential RF and DC magnetron sputtering เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ ขจรยศ อยู่ดี โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์ ซิงค์ออกไซด์ ฟิล์มบาง สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) โกลว์ดิสชาร์จ วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545 ฟิล์มบาง ZnO(Al) ชนิดสองชั้นเตรียมขึ้นบนวัสดุรองรับกระจกโซดาไลม์พื้นที่ 5x6 ตารางเซนติเมตร กรณีที่ 1 เตรียมโดยการสปัตเตอร์เป้า Zn และเป้า ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) พร้อมกัน ตาม ด้วยการสปัตเตอร์เป้า ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) โดยวิธีอาร์เอฟแมกนิตรอนสปัตเตอริง (Zn-added-ZnO(Al)/ZnO(Al)) และกรณีที่ 2 เตรียมโดยการสปัตเตอร์เป้า ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) โดยวิธีอาร์เอฟแมกนิตรอนสปัตเตอริง ตามด้วยการสปัตเตอร์เป้า Zn และเป้า ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) พร้อมกัน (ZnO(Al)/Zn-added-ZnO(Al)) และเลือกสภาวะของฟิล์ม ZnO(Al) ชนิดสองชั้นที่มีสมบัติทางไฟฟ้า สมบัติเชิงแสง และโครงสร้างผลึกที่เหมาะสมสำหรับการเตรียมฟิล์ม ZnO(Al) แบบตามลำดับ ความหนาของฟิล์ม Zn-added-ZnO(Al) เปลี่ยนแปลงจาก 0 เปอร์เซ็นต์ถึง 100 เปอร์เซ็นต์เป็นช่วง ช่วงละ 20 เปอร์เซ็นต์โดยความหนาของฟิล์ม ZnO(Al) แบบตามลำดับทั้งหมดคงที่ 3000 อังสตรอม สมบัติทางไฟฟ้า สมบัติเชิงแสง และโครงสร้างของฟิล์ม ZnO(Al) แบบตามลำดับศึกษาโดยการวัดปรากฏการณ์ฮอลล์ การส่งผ่านแสง และการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ ตามลำดับ พบว่าฟิล์ม ZnO(Al) ชนิด 9 ชั้น สภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดมีค่า 5.60x10[superscript -4] โอห์ม-เซนติเมตร การส่งผ่านแสงสูงสุดซึ่งสูงกว่า 90% ในช่วงความยาวคลื่น 400-1000 นาโนเมตรและรูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ของฟิล์มที่ได้แสดงแกน c ของผลึกเมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกลุ่มซิงค์ออกไซด์ The bilayer ZnO(Al) thin films were grown on 5x6 cm[superscript 2] soda lime glass substrates. In case 1, the Zn target and ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5 wt%) target were co-sputtered, then followed by rf-magnetron sputtering of ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5 wt%) target (Zn-added-ZnO(Al)/ZnO(Al)). In case 2, the first layer started by rf-magnetron sputtering of ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) followed by co-sputtering of Zn target and ZnO(Al[subscirpt 2]O[subscript 3] 2.5wt%) target (ZnO(Al)/Zn-added-ZnO(Al)). The growth conditions of the ZnO(Al) bilayer films with the best electrical, optical and structural properties were chosen for the growth of sequentially layered ZnO(Al) thin films. The total thickness of the sequentially layered ZnO(Al) films were kept at 3000 Å, while varying the thickness of the Zn-added-ZnO(Al) layer from 0-100% with a step of 20% increment. The obtained sequentially layered ZnO(Al) films were characterized by Hall measurement, optical transmission measurement and X-ray diffraction for its electrical, optical and structural properties, respectively. It was found that the films with 9 sequential layers yielded the minimum resistivity of about 5.60x10[superscript -4] omega-cm and maximum transmission higher than 90% in the 400-1000 nm range, accordingly. The XRD pattern also showed a c-axis prefered orientation compared to the bulk ZnO. 2009-08-18T11:54:38Z 2009-08-18T11:54:38Z 2545 Thesis 9741721382 http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/10276 th จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 1471674 bytes application/pdf application/pdf จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| institution |
Chulalongkorn University |
| building |
Chulalongkorn University Library |
| country |
Thailand |
| collection |
Chulalongkorn University Intellectual Repository |
| language |
Thai |
| topic |
ซิงค์ออกไซด์ ฟิล์มบาง สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) โกลว์ดิสชาร์จ |
| spellingShingle |
ซิงค์ออกไซด์ ฟิล์มบาง สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) โกลว์ดิสชาร์จ เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| description |
วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545 |
| author2 |
ขจรยศ อยู่ดี |
| author_facet |
ขจรยศ อยู่ดี เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ |
| format |
Theses and Dissertations |
| author |
เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ |
| author_sort |
เกษรารัตน์ อักษรรัตน์ |
| title |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| title_short |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| title_full |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| title_fullStr |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| title_full_unstemmed |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| title_sort |
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า zno(ai) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ |
| publisher |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/10276 |
| _version_ |
1681409226163879936 |