การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์
วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Theses and Dissertations |
| Language: | Thai |
| Published: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1239 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Chulalongkorn University |
| Language: | Thai |
| id |
th-cuir.1239 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
th-cuir.12392007-11-30T01:02:24Z การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ Modeling and optimization of dielectric layer formation, healing and screening condition of chip tantalum capacitor จันทรา ยอดมนต์, 2517- ไพศาล กิตติศุภกร ปกรณ์ ตั้งพาณิชย์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ ตัวเก็บประจุไฟฟ้า แทนทาลัม ไดอิเล็กตริก ฉนวนไฟฟ้า วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545 ศึกษาถึงความสัมพันธ์ของตัวแปรที่มีผลต่อค่ากระแสรั่วไหล ของแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ ในขั้นตอนการสร้างชั้นกึ่งฉนวน (A-anodization and Anodization) และขั้นตอนการซ่อมแซมชั้นกึ่งฉนวนและคัดแยกของเสีย (Aging) แล้วนำมาสร้างแบบจำลองของการถดถอย (Regression Model) โดยศึกษาผลิตภัณฑ์ 3 ประเภทคือ ผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานสูง (High voltage product) ผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานกลาง (Middle voltage product) และผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานต่ำ (Low voltage product) ในการวิจัยนี้ใช้การออกแบบการทดลองเชิงแฟกทอเรียล (Factorial Design) แบบ 2k เมื่อ k คือ จำนวนปัจจัยที่ต้องการศึกษา การออกแบบการทดลองเชิงแฟกทอเรียล เป็นการออกแบบที่มีประสิทธิภาพสูง เนื่องจากสามารถใช้ศึกษาถึงผลตอบ (Response) ของปัจจัยหนึ่ง ซึ่งเป็นผลมาจากการเปลี่ยนแปลงระดับของอีกปัจจัยหนึ่งได้ นั่นคือสามารถหาอันตรกิริยา (Interaction) ระหว่างปัจจัยได้ งานวิจัยนี้ได้แบ่งการทดลองออกเป็นสองส่วนคือ ขั้นตอนการสร้างชั้นกึ่งฉนวนที่มีปัจจัยที่ต้องการศึกษา 6 ปัจจัย ได้แก่ ค่าความนำไฟฟ้าของโซเดียมเตตระบอเรต แรงดันไฟฟ้าในขั้นตอน A-Anodization เวลาในขั้นตอน A-Anodization ค่าความนำไฟฟ้าของกรดฟอสฟอริก แรงดันไฟฟ้าในขั้นตอน Anodization และเวลาในขั้นตอน Anodization ส่วนขั้นตอนการซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ที่มีปัจจัยที่ต้องการศึกษา 4 ปัจจัย ได้แก่ อุณหภูมิ แรงดันไฟฟ้า เวลา และอัตราเร็วในการเพิ่มแรงดันไฟฟ้า จากผลการวิจัยสามารถทราบความสัมพันธ์ และหาแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่แสดงความสัมพันธ์ของปัจจัยต่างๆ ที่มีผลต่อค่ากระแสรั่วไหล (Leakage current) ในขั้นตอนการสร้างและซ่อมแซมชั้นกึ่งฉนวนได้ โดยมีความคลาดเคลื่อนเฉลี่ยสูงสุด 5.9% และ 14.8% ตามลำดับ จากความสัมพันธ์ของปัจจัยหลัก (Main Effect) และแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่ได้ สามารถหาสภาวะปฏิบัติการที่ทำให้กระแสรั่วไหล มีค่าต่ำสุดภายใต้ขอบเขตระยะเวลาในการผลิตที่น้อยที่สุด โดยปริมาณกระแสรั่วไหลอยู่ในเกณฑ์มาตรฐาน To study the relation of factors that effect the leakage current of Tantalum capacitor and to develop regression models of dielectric layer formation processes (A-anodization and Anodization) and an aging process. Three kinds of products studied were high voltage product, middle voltage product and low voltage product.Design of experiment for this research was 2k factorial design when k was number of interested factors to study. This experimental design was a highly effective method because it can be used to study the interaction between each other factors. This study was separated to two groups base on a production process. In dielectric layer formation process, there were 6 factors : conductivity of Sodium tetraborate, A-Anodization voltage, A-Anodization time, conductivity of Phosphoric acid, Anodization voltage and Anodization time. In aging process, there were 4 factors : temperature, voltage, time and voltage increasing speed. Experimental results showed the relationship between each factor that couldeffect the leakage current. This could be based to develop the regression models of dielectric layer formation and aging process. The mean absolute percentage error of dielectric layer formation process and aging process were maximum 5.9% and 14.8% respectively. From the relationship of main effects and the developed regression model, the optimal production condition whic would give the lowest leakage current at the minimum production time cuold be identified. 2006-07-31T02:44:26Z 2006-07-31T02:44:26Z 2545 Thesis 9741797567 http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1239 th จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2955419 bytes application/pdf application/pdf จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| institution |
Chulalongkorn University |
| building |
Chulalongkorn University Library |
| country |
Thailand |
| collection |
Chulalongkorn University Intellectual Repository |
| language |
Thai |
| topic |
ตัวเก็บประจุไฟฟ้า แทนทาลัม ไดอิเล็กตริก ฉนวนไฟฟ้า |
| spellingShingle |
ตัวเก็บประจุไฟฟ้า แทนทาลัม ไดอิเล็กตริก ฉนวนไฟฟ้า จันทรา ยอดมนต์, 2517- การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| description |
วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545 |
| author2 |
ไพศาล กิตติศุภกร |
| author_facet |
ไพศาล กิตติศุภกร จันทรา ยอดมนต์, 2517- |
| format |
Theses and Dissertations |
| author |
จันทรา ยอดมนต์, 2517- |
| author_sort |
จันทรา ยอดมนต์, 2517- |
| title |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| title_short |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| title_full |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| title_fullStr |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| title_full_unstemmed |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| title_sort |
การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ |
| publisher |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| publishDate |
2006 |
| url |
http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1239 |
| _version_ |
1681412990697472000 |