การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัย
ในโครงการวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาเงื่อนไขที่ใช้ในการสร้างโครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs โดยวิธี MBE และตรวจสอบลักษณะสมบัติทางแสงด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ โดยตัวแปรที่ได้ศึกษาในการนี้ได้แก่ ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึก ค่าความหนาของชั้นเวลล์ InGaAs ในโครงสร้าง ค่าสัดส่วนของ...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Technical Report |
| Language: | Thai |
| Published: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/2266 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Chulalongkorn University |
| Language: | Thai |