#TITLE_ALTERNATIVE#
The effect of annealing on electrical properties to study thermal stability, interface effect, and oxidation reaction of AlGaN grown on Si (111) by plasma-assisted metal-organicvapour-deposition (PA-MOCVD) method as metal-semiconductors-metal (MSM) Schottky contact was investigated. The dependence o...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | Final Project |
| اللغة: | Indonesia |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/8367 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!