Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2005
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf http://eprints.uthm.edu.my/7967/ |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institution: | Universiti Tun Hussein Onn Malaysia |
Language: | English |