Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron
Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi P...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf http://eprints.uthm.edu.my/7967/ |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Universiti Tun Hussein Onn Malaysia |
| Language: | English |
| Summary: | Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le)
0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan
menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula
dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron
(SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut
menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya
berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V
berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan
rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS
masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti
tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon
(Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium
(AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon
oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah
difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik. |
|---|