Electrical transport properties of PbSn1-xTe thin films and Pb1-xSnxTe bulk samples
PbxSn1-xTe thin films deposited by vapor technique and Pb1-xSnxTe bulk samples grown by horizontal unseeded vapor phased growth (HUGV) were characterized through its electronic transport properties. These include resistivity and Hall measurements varied from a temperature of 77K-373K and from 77K-30...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , |
---|---|
التنسيق: | text |
اللغة: | English |
منشور في: |
Animo Repository
1996
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://animorepository.dlsu.edu.ph/etd_bachelors/4158 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!