Electrical transport properties of PbSn1-xTe thin films and Pb1-xSnxTe bulk samples

PbxSn1-xTe thin films deposited by vapor technique and Pb1-xSnxTe bulk samples grown by horizontal unseeded vapor phased growth (HUGV) were characterized through its electronic transport properties. These include resistivity and Hall measurements varied from a temperature of 77K-373K and from 77K-30...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Almanzor, Melissa Q., Ong, Ma. Carmellia G.
التنسيق: text
اللغة:English
منشور في: Animo Repository 1996
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://animorepository.dlsu.edu.ph/etd_bachelors/4158
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!