A design of an all-MOS-transistor low-power low-voltage LDO with an embedded voltage reference
This report shows the whole process of designing a All-MOS Low Dropout (LDO) with embedded voltage reference. This design will provide a output voltage which is independent of temperature, load current changes, supply voltage et al. The final design contains start-up, PTAT generator, two temperature...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/139394 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |